a12在电路图是什么意思，电源jd一150一12中的15o和12是啥意思

来源：整理时间：2023-01-26 04:48:26 编辑：维修百科手机版

1，电源jd一150一12中的15o和12是啥意思

同问。。。

正确的表达方式应该是150-A12。150代表150伏特12代表电流12毫安

电源jd一150一12中的15o和12是啥意思

2，主回路接触器A9A12是什么意思

主回路接触器A9，是第9号结点（接电路的第9号接点）， A12，是第12号结点（接电路的第12号接点）. 祝您幸福、快乐，亲，请您采纳，谢谢。

主回路接触器A9A12是什么意思

3，数字电路addr 12 0里的12 0各表示什么意思

就是表示地址总线A12~A0，供13根线，8K寻找空间。 32位数据总线的D31~D16高16位，低16位是D15~D0。

任务占坑

数字电路addr 12 0里的12 0各表示什么意思

4，一道高中物理题

等于1秒要想米尺不落下，也就是米尺的重心（中间）刚好还在桌子上过程1，先用力拉米尺，拉到一定速度时不拉了过程2，让米尺靠这个速度滑到1/2长度时恰好静止 ma1=F-umg ma2=umg 设过程中最大速度为V 0-V^2=2a1X1 V^2-0=2a2X2 X1+X2=0.25（因为已经伸出了0.25米）解得a1=0.4，a2=0.16，X1=0.2,X2=0.05 1/2a1t^2=X1 解得t=1s

当米尺移动0.25米时，就是它的临界位置，摩擦力f不变=0.16*0.2*10=0.32所以合力为0.4-0.32=0.08，a=0.08/0.2=0.4设有拉力作用的时间为t1,撤掉拉力后为t2,期中t1就是要求的量。所以0.5*0.4*t1*t1+0.5*(0.32/0.2)*t2*t2=0.250.4t1=(0.32/0.2)t2得到t1=1s

解：当米尺运动xm时，由牛顿第二定律有F-u(3/4-x)mg=ma.得：a=0.8+1.6x 此为加米尺加速度与米尺运动位移的关系。根据公式dx=vdt,dv=adt.得：vdv=adx. 将a=0.8+1.6x代入，将式子两边积分得：v=根号(1.6(x+x^2)) . 将v代入dx=vdt整理得 (1/ 根号(1.6(x+x^2)) )dx=dt,两边积分(t：0~t,x：0~3/4)得 t=1s.

物理:总结最重要,包括课堂老师的总结,下课后自我预习复习的总结,错题的总结,最好找一个本,记录体会,平常多翻翻, 对于公式,记忆还需要理解,根据具体情况适当运用,注意公式的运用范围。不要把物理等同于数学,特别计算题要养成书写格式的良好习惯。对于大多数题来说,做图相当重要,电学的电路图关键在简化,画成我们一眼可以分清连接情况,力学的受力分析是做题的基础,光学的光路图可以帮助我们分析问题,甚至热学的沸腾蒸发都会用到图当然说起来容易,做起来会难一些,不过不要有压力我认为初中物理关键在入门,触类会旁通多多练习实际,多做练习,物理很有意思

5，电脑内存求助

楼上的说法有些错误 DDR DDR2 DDR3确实是内存系列所谓的一代二代三代,技术的一代代更替代表内存容易及速度的提升.从以前的32M到现如果今4G的内存,可想而知变化多大而这是需要主板兼容才可以的,如要购买先确认自己的主板支持哪种型号的内存,否则不兼容主板无法读取.

这些就是内存的分类就是第一代第二代的意思现在都用DDR3的了这个不分什么主板用好不好的

1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 4、新增功能——重置（Reset）重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

DDR3是新出的第3代显卡，得跟支持DDR3的主板才能用，现在一般都是DDR2