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为什么三极管be结击穿,当三极管的Ube低于导通电压或为0时说明三极管be结已内部开路

来源:整理 时间:2022-11-27 00:27:27 编辑:维修百科 手机版

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1,当三极管的Ube低于导通电压或为0时说明三极管be结已内部开路

错的,说反了。
错了
根据三极管的工作原理,这三极管肯定不能导通。

当三极管的Ube低于导通电压或为0时说明三极管be结已内部开路

2,三极管BE结是什么

就是由基极(B)到发射极(E)就那段称为BE结
以npn管为例,三极管共有两个pn结:b-e间的pn结和b-c间的pn结。在三极管正常工作时(在放大状态下), b-e间的pn结是pn通(正向),b-c间的pn结是np通(反向)。

三极管BE结是什么

3,三极管be总是被击穿如何解决

耐压太低 选更高一些的我看错了……BE总是被击穿 证明BE承受了反向电压 这说明三极管工作在截止区 也就是所谓“反常偏置工作状态” 不知道您的电路是什么样子的 为什么会出现这种情况 如果这个三极管不应该工作在这个区域 那就是电路工作有问题 如果必须工作在这个区域 可以在基极串联限流电阻 只要保证击穿后电流不太大 就不会烧毁晶体管至于三极管工作于截止区的相关文献 请参阅《(无线电爱好者丛书)低电压晶体管电路》(徐业林编著 人民邮电出版社出版) 76-78页

三极管be总是被击穿如何解决

4,三极管BE为什么会直接连起来

有3种可能:1. 或被人修理过,搭锡;2. 制造商因为型号原因,需要使某一功能不工作,BE短路,使三极管停止工作。3. 当二极管使用,而不再改变设计。
三极管的vbe是一个负温度系数,随着温度提高vbe减小。如果vbe的变化影响到三极管的工作状态的话,那么就会导致电路功能异常。所以电路再设计中一定要考虑温度的影响,给它提供合适的设计余量保证在一定温度内正常工作。 如果温度过高超过150°,那么整个三极管pn结就会工作异常。 正是因为温度对三极管有影响 所以三极管工作温度不能太高(但不是怕热),只要工作在它指标范围内,就能正常工作

5,为什么三极管BE直流电压会随着信号增大而下降然后再加信号BC极就

BE直流电压(偏置)就像一有限容器中的水,信号电压就像船.正常情况下,偏置承载着信号电压顺利的送到负载.但是三极管的承载能力是有限的,随着输入信号增强到其有限范围时,便被送进入了饱和区.此时三极管就失去了正常工作(模拟电路)的能力(例:振荡.放大等),输入信号电压若进一步增强,PN结就将被摧毁.击穿了。 注意,这仅仅是比喻,真实的PN结内部工作是相当复杂的.不是几句话可以讲清楚的.建议您系统的看点此类的专著.
温度产生的飘逸,信号增大的时候温度上升,继续增大就击穿。
用一般数字与机械万用表就行啊。选用合适的量程,即量程选用在接近但不大于被测电压以下。电压测量是并联。低压时可通电测量,高压连接好表棒后通电测量(三极管没这样高的电压的,在此没用)。mos管测量要考虑内阻,建议用数字表或高内阻的机械表

6,为何三极管很少说起BE的耐压值

不用说明都应该知道硅管Vbe大概是0.6v~0.8v,锗管Vbe大概是0.1v~0.3v,如果测出三极管再放大电路中Vbe不是这范围内,三极管多半坏掉了
耐压值,通常用vceo,(有时还用vcbo),二者接近,cb击穿后,也就相当于ce击穿了。电流值,通常指ic,(ie=ic+ib,约等于ic),评价耗散功率都是指c极。
实际应用中,VBE都是很小的电压就可以工作了,除非故障否则BE不会出现较大电压
三极管的be结就是个二极管,Vbe就是二极管的正向压降。跟二极管一样,正向有正向饱和电压指标,即Vbe(CES)或;很多三极管都有给出的。VEB是be结的反向击穿电压。VCB的指标为叫VCBO,CB结的击穿电压。VCE有:Vce(CES),CE间饱和电压;Vceo,CE间击穿电压。

7,三极管bc817的BE被击穿求原因帮忙看一下原理有什么问题么

把R26的阻值提高到5.1K。
三极管的工作原理 三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压ub有一个微小的变化时,基极电流ib也会随之有一小的变化,受基极电流ib的控制,集电极电流ic会有一个很大的变化,基极电流ib越大,集电极电流ic也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。ic 的变化量与ib变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=δic/δib, δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。 下面说下三极管的电流放大原理 它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的 pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而c点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源ec要高于基极电源ebo。
文章TAG:为什么三极管be结击穿为什么什么三极管

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