为什么二极管的死区电压随温度的，请问二极管正接为什么会有一段死区电压

来源：整理时间：2022-12-01 12:59:59 编辑：维修百科手机版

本文目录一览

1，请问二极管正接为什么会有一段死区电压
2，二极管死区电压和温度的关系
3，为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大
4，为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大

1，请问二极管正接为什么会有一段死区电压

就是PN结的原故。

二极管要使用高频检波的，耳机要使用高阻的

请问二极管正接为什么会有一段死区电压

2，二极管死区电压和温度的关系

温度越高死区电压就越低

1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流is很小。 2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值ur后，电流才明显增长。通常把电压ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的is远小于锗二极管的is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5v~0.6v, 锗二极管的门限电压约为0.1v~0.2v。

二极管死区电压和温度的关系

3，为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大

与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？补充： "锗的ni"ni 是什么？满意答案一粒米8级2009-03-081）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。○Οο海оΟ 的感言：基体改进剂是？麻烦回一下~ 2009-03-08其他回答(2)ZZ10级2009-03-08你说的没错呀。

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大

4，为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大

1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。 2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

你说的没错呀。 300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。 I = I0 * [exp(qV/(kT)) - 1] 所以Ge管开启电压更低。

他们两个的晶体结构是不同的